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J-GLOBAL ID:200903087980082257

半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 土屋 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994162602
Publication number (International publication number):1996008214
Application date: Jun. 21, 1994
Publication date: Jan. 12, 1996
Summary:
【要約】【目的】 ダイシングのためのアライメントに際してターゲットマークからの光の反射率を高めて、ダイシング時のアライメント精度を高める。【構成】 オーバコート膜13及び反射防止膜14のうちで、ダイシング時におけるアライメント用のターゲットマーク12の少なくとも一部分上の部分を、パッド上の部分と同時に除去して、開口15を形成する。このため、ターゲットマーク12とターゲットマーク12以外の部分との間におけるコントラストが高く、CCDイメージセンサによる二値化検出の精度が高くて、アライメント精度が高い。
Claim (excerpt):
ダイシング時におけるアライメント用のターゲットマークの少なくとも一部分が被覆膜に覆われていないことを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 21/301 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/68
FI (2):
H01L 21/78 C ,  H01L 21/30 502 M

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