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J-GLOBAL ID：200903087984702543

量子細線およびその作製方法

Inventor： 菅田 純雄 ,  平山 祥之 ,  清水 均
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992025734
Publication number (International publication number)：1993190452
Application date： Jan. 14, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 一回の連続した結晶成長により製作可能な量子細線とその製造方法を提供する。【構成】 メサ形状を有する半導体基板1上に、両性不純物をドーピングした3-5族化合物半導体層6を積層し、該半導体層6の電気抵抗がメサ側面5においてメサ上面4よりも高くなるようにする。

Claim (excerpt)：

メサ形状を有する半導体基板上に、両性不純物をドーピングした3-5族化合物半導体層が積層され、該半導体層の電気抵抗がメサ側面においてメサ上面よりも高いことを特徴とする量子細線。

IPC (6)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 3/18