Pat
J-GLOBAL ID：200903087984920800
半導体レーザ装置とその製造方法
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993329052
Publication number (International publication number)：1995183414
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高い気密性を有し、きわめて長期信頼性に優れた半導体レーザ装置とその製造方法を提供する。【構成】 樹脂パッケージ19を構成する枠体15に凹部20を設け、第1の接着剤21を塗布した後、光学部品12をその凹部20に配置し、半導体レーザチップ13に対して位置合わせを行い、つぎに第2の接着剤22を光学部品12の周囲側面と枠体15の上面に充填することにより三次元的な接着面を構成した。【効果】 樹脂パッケージの気密性を高められ、樹脂パッケージ内への水分の侵入が阻止されて、長期信頼性が向上した。
Claim (excerpt)：
主として半導体レーザチップと、その半導体レーザチップを内部に収納する枠体と保護板とよりなる樹脂パッケージと、その樹脂パッケージの上面に接着剤を介して設けられた光学部品とからなる半導体レーザ装置であって、前記枠体の上面内周部に前記光学部品の厚みより小さい段差を有する凹部を設けることにより前記枠体と光学部品が三次元的な接合面を構成する半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
