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J-GLOBAL ID：200903087986704560

自己走査型発光装置のクロスアンダー金属配線構造

Inventor： 大野 誠治
Applicant, Patent owner： 日本板硝子株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999266867
Publication number (International publication number)：2001094153
Application date： Sep. 21, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 pnpn構造の一部を用いて、クロスアンダー配線を構成する場合に、ラッチアップを防止できる金属配線構造を提供する。【解決手段】 半導体基板10にはp型GaAsが、p型半導体層30,34にはp型GaAsが、n型半導体層32,36にはn型GaAsが、絶縁膜14にはSiO2 が用いられている。また、分離溝22で分離された島状のpnpn構造上に設けられた上部配線16にはAlが、下部配線18にはAuZnが用いられている。p型半導体層34上に、この半導体層とオーミック接触のとれる電極24を設け、上部配線16を介して下部配線18と短絡する。これにより、半導体層36と34は常に同電位となり、半導体層30,32,34,36からなるpnpn構造サイリスタがラッチアップすることはない。

Claim (excerpt)：

pnpn構造の3端子スイッチ素子多数個を配列した3端子スイッチ素子アレイの各スイッチ素子の制御電極を互いに第1の電気的手段にて接続すると共に、各スイッチの素子の制御電極に電源ラインを第2の電気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子の残りの2端子の一方にクロックラインを接続して形成した自己走査型スイッチ素子アレイと、pnpn構造の3端子発光素子多数個を配列した発光素子アレイとからなり、前記発光素子アレイの各制御電極と前記スイッチ素子の制御電極とを接続し、各発光素子の残りの2端子の一方に発光のための電流を印加する書き込み信号ラインを設けた自己走査型発光装置において、分離溝で島状に分離された前記pnpn構造の部分の上に形成されるクロスアンダー配線部分の金属配線構造であって、前記pnpn構造の最上層の上に設けられた下部配線と、前記下部配線に接続された上部配線とを有し、前記上部配線は、前記最上層の下層に接続されていることを特徴とする金属配線構造。

FI (2)：

H01L 33/00 L ,  H01L 33/00 N

F-Term (12)：

5F041AA21 ,  5F041AA47 ,  5F041BB33 ,  5F041CA07 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA76 ,  5F041CB25 ,  5F041CB32 ,  5F041FF13