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J-GLOBAL ID：200903087999207611

磁気抵抗効果型ヘツド

Inventor： 北田 正弘 ,  清水 昇 ,  小山 直樹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991308833
Publication number (International publication number)：1993143936
Application date： Nov. 25, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】記録再生分離型磁気ヘッドにおいて、再生ヘッドを構成する磁気抵抗効果型素子が、軟磁性膜/スペーサ金属膜/磁気抵抗効果膜からなる構造で、磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加する高性能軟磁性膜を提供する。【構成】組成がNi-Fe-RuおよびNi-Fe-Ru-M(M:第4元素)よりなる低保磁力、低磁歪、高抵抗、高飽和磁化、低磁気抵抗効果率、高耐食性の軟磁性膜4。【効果】磁気的に高性能で、低価格、高耐食性の軟磁性バイアス膜を有する記録再生分離型磁気ヘッドが得られる。

Claim (excerpt)：

合金組成が〔M1M2)y・Mx(=M3+M4)よりなり、〔M1M2)が磁性金属元素M1およびM2よりなり、MがRu(M3=M4)で、x+y=100%としてその含有量xは2-13at.%であり、付随する不可避の不純物を含む結晶性軟磁性膜をバイアス膜として用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。