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J-GLOBAL ID：200903088002656213

薄膜形成装置

Inventor： 緒方 潔 ,  桐村 浩哉
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992269016
Publication number (International publication number)：1994116724
Application date： Oct. 08, 1992
Publication date： Apr. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ECRスパッタ装置の比較的低温で且つ高密度プラズマのもとで薄膜を形成できるという利点と、マグネトロンスパッタ装置の高速成膜できる利点を活用し、良質の薄膜を高速で形成できる薄膜形成装置を提供する。【構成】 スパッタターゲット6を電界とこれに交わる磁界を利用してスパッタリングし、該スパッタ粒子を基板3へ放出するためのマグネトロンスパッタ部5と、外周に磁石体44を配置し、イオン加速電極7を設けたプラズマ室41にガスとマイクロ波を導入してマイクロ波プラズマを形成し、基板3へ向けイオン照射するためのマイクロ波プラズマ発生部4とを備え、マグネトロンスパッタ部5の磁界の発生手段がプラズマ室41の外周に隣合わせて間隔をおいて多重に配置したリング状磁石体44、51からなり、該多重の磁石体のうちプラズマ室41に最も近い内側の磁石体44がマイクロ波プラズマ発生部4の磁石体44を兼ねており、スパッタターゲット6が基板3へ向けて磁石体44、51による磁界中に配置される薄膜形成装置。

Claim (excerpt)：

スパッタターゲットを電界とこれに交わる磁界を用いてスパッタリングし、該スパッタ粒子を薄膜を形成すべき目的物へ放出するためのマグネトロンスパッタ部と、外周に磁石体を配置したプラズマ室にガスとマイクロ波を導入してマイクロ波プラズマを形成し、前記目的物へ向けイオン照射するためのマイクロ波プラズマ発生部とを備え、前記マグネトロンスパッタ部の磁界の発生手段が前記プラズマ室の外周に隣合わせて間隔をおいて多重に配置した磁石体からなり、該多重の磁石体のうち前記プラズマ室に最も近い内側の磁石体が前記マイクロ波プラズマ発生部の磁石体を兼ねており、前記マイクロ波プラズマ発生部のイオン放出口にイオン加速電極が配置されており、前記スパッタターゲットが前記目的物へ向けて前記多重配置の磁石体による磁界中に配置されることを特徴とする薄膜形成装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平1-168857
  
• 特開平4-074863
  
• 特開昭61-272372
  
• 特開昭62-070569
  

Cited by examiner (2)

• 特開平4-074863
  
• 特開平1-168857