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J-GLOBAL ID：200903088003426416

半導体デバイス及び方法

Inventor： ホロニャック ニック ジュニア ,  マラナウスキー スティーブン エイ. ,  キッシュ フレッド エイ.
Applicant, Patent owner： ザ ボード オブ トラスティース オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ
Agent (1)： 山本 恵一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995526434
Publication number (International publication number)：1997511872
Application date： Apr. 06, 1995
Publication date： Nov. 25, 1997
Summary：

【要約】デバイスがメタライズされた(505、565)後でアルミニウムの自然酸化膜(581、582)を得ることができる酸化の実現によって、デバイス動作、信頼性及び寿命において効果が得られる。半導体デバイスの製造方法が開示されており、少なくとも1つの層がアルミニウムを含むIII-V族の半導体材料(530、550)であり、該III-V族の半導体材料の層を有する構造を形成する段階と、メタライズされた半導体構造を形成するために前記構造に金属電極(505、565)を与える段階と、前記アルミニウムを含むIII-V族の半導体材料の部分をアルミニウムの自然酸化膜(581、582)に変換するために、含水環境内で前記メタライズされた構造を加熱する段階とを含んでいる。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの層がアルミニウムを含むIII-V族の半導体材料であり、該III-V族の半導体材料の層を有する構造を形成する段階と、 メタライズされた半導体構造を形成するために前記構造に金属電極を与える段階と、 前記アルミニウムを含むIII-V族の半導体材料の部分をアルミニウムの自然酸化膜に変換するために、含水環境内で前記メタライズされた構造を加熱する段階とを備えた半導体デバイスの製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開平3-126284
  
• 特開昭51-140586
  
• 特開昭52-091385
  
• 特開昭54-064475
  
• 特開昭53-110470
  
• 特開昭57-053932
  
• 特開昭58-048922