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J-GLOBAL ID：200903088008011451

窒化ガリウム系化合物半導体の気相エッチング方法

Inventor： 後藤 順 ,  赤松 正一 ,  河田 雅彦 ,  皆川 重量
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996261598
Publication number (International publication number)：1998107006
Application date： Oct. 02, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体レーザを作製する場合、共振器を作製する行うエッチングには従来、プラズマを用いたドライエッチングが用いられて来たが、この方法ではエッチング表面の荒れが問題となっており、レーザの特性に悪影響を及ぼしていた。【解決手段】 本発明では、窒化ガリウム系化合物半導体を水素と炭化水素ガスの混合ガス中で加熱する事によりエッチングを行う事を特徴とする新しいドライエッチング法を与える。【効果】 本発明では化学的な反応を用いてエッチングを行う為、平滑で損傷の無いエッチング表面が得られ、レーザの特性を飛躍的に向上させた。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物半導体を炭化水素ガスと水素ガスの混合ガス中で加熱する事によりエッチングすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/302 P ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18