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J-GLOBAL ID：200903088008763267

半導体基板およびそれを用いた表示装置およびその製造方法および製造装置

Inventor： 美濃 美子 ,  河北 哲郎 ,  山本 睦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001131458
Publication number (International publication number)：2002329701
Application date： Apr. 27, 2001
Publication date： Nov. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 表示装置の製造過程、クリーンルームの環境や用いる薬品の再生液で生じるクロスコンタミなどで生じる基板汚染が起因するデバイス特性の不安定に対して、前記製造過程の主たる工程間の洗浄を管理する。【解決手段】 本発明は、基板上の酸化膜がエッチング除去され、清浄化さらた後に露出したシリコン膜面や、基板上の金属膜を覆う自然酸化膜面や、膜形成による絶縁膜表面が清浄化され、その膜面が水素処理によって改質されることに特徴を有する。これにより次のような作用を有する。すなわち、これによって基板上の膜面を改質・安定化することで膜面の清浄性を保ち、しいては積層界面を清浄に保つことで良好な特性を有する半導体基板を提供するものである。

Claim (excerpt)：

酸化膜を有する半導体基板であって、前記酸化膜の一部又は全部が除去され清浄化されて、前記基板面が水素処理によって改質されることを特徴とする半導体基板。

IPC (10)：

H01L 21/304 647 ,  B08B 3/08 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 310 ,  G11B 5/31 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/14

FI (11)：

H01L 21/304 647 Z ,  B08B 3/08 Z ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 310 ,  G11B 5/31 A ,  G11B 5/31 G ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 627 Z

F-Term (43)：

2H092JA24 ,  2H092MA23 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  3B201AA01 ,  3B201BB01 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB96 ,  3B201CC01 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB07 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA29 ,  5C094EB05 ,  5C094GB10 ,  5D033BA51 ,  5D033DA31 ,  5F110AA14 ,  5F110AA26 ,  5F110EE47 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG51 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ21 ,  5F110HL26 ,  5F110NN39 ,  5F110NN40 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435EE33 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10