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J-GLOBAL ID：200903088020688343

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 水島 一郎 ,  柏木 正弘 ,  國島 巌 ,  須黒 恭一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991252356
Publication number (International publication number)：1993090206
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、微細化に際してもコンタクト抵抗の十分に小さいコンタクトを形成することを目的とする。【構成】 本発明は、半導体基板に形成されるボロンを不純物として導入した不純物領域に対してコンタクトを形成するに際し、このコンタクトの形成は、ボロンとの化合物よりもシリコンとの化合物を形成する際の自由エネルギー低下が大である金属例えばバナジウム等の硅化物を形成することにより行うようにする。

Claim (excerpt)：

半導体基板にボロンを不純物として導入した不純物領域が形成され、該領域に対してコンタクトするコンタクト層が形成された半導体装置において、前記基板のコンタクト層が、ボロンとの化合物よりもシリコンとの化合物を形成する際の自由エネルギー低下が大である金属の硅化物で構成されていることを特徴とする半導体装置。