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J-GLOBAL ID：200903088021726850
熱電素子モジュール
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
吉田 芳春
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999315848
Publication number (International publication number)：2001135867
Application date： Nov. 05, 1999
Publication date： May. 18, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 基板の熱伝導性が優れ、熱効率が良く、かつ基板の熱膨張率が半導体のそれと類似し、有害な大きな熱応力が発生することなく信頼性が高い、高性能の熱電素子モジュールを提供すること。【解決手段】 複数枚の基板が対向して配置されており、該対向する複数枚の各基板の対向面にそれぞれ金属電極が接合されており、該金属電極を介して複数のn型およびp型の半導体が交互に接続されている熱電素子モジュールにおいて、上記複数枚の基板を炭素質材料からなる炭素質基板で構成し、上記金属電極の基板への接合を電気絶縁性を備えた接合手段で行う。
Claim (excerpt)：
複数枚の基板が対向して配置されており、該対向する複数枚の各基板の対向面にそれぞれ金属電極が接合されており、該金属電極を介して複数のn型及びp型の半導体が交互に接続されている熱電素子モジュールにおいて、上記複数枚の基板が炭素質材料からなる炭素質基板で構成され、上記金属電極の基板への接合が電気絶縁性を備えてなされていることを特徴とする熱電素子モジュール。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 35/32 A
, H01L 35/08
