研磨装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993232212
Publication number (International publication number)：1995299736
Application date： Aug. 26, 1993
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】ウェーハの種類とは無関係に、安定且つ高い研磨効率で研磨が行われ、薄膜をプレーナ(平坦化)処理する装置を提供することである。【構成】半導体基板上に形成された薄膜を研磨するに当たり、研磨用パッドで被覆された回転可能なテーブルを有する研磨措置。これらテーブルとパッドとを基板に対して回転させる、研磨作業中、この基板を、パッドの表面に対して押し下げる。この基板を研磨中に、複数個の溝をこのパッド内に形成する手段を設ける。連続的に形成された溝によって、スラリーを基板とパッドとの間に導入することにより、研磨処理が実行されるのを援助するようにする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された薄膜を研磨する装置において、回転可能なテーブルと;このテーブルを回転させる手段と;複数個の溝が予め形成された上側表面を有し、これら予め形成された溝によって、パッドと基板との界面での複数個の点接触を形成することによって研磨処理を促進する、前記テーブルを被覆するパッドと、;前記パッドの上側表面上に研磨用スラリーを堆積させる手段と;前記スラリーを用いた前記基板と前記テーブルとの相対的な回転が前記薄膜をプレーナ処理するように、この基板を前記パッドに対して強制的に押圧する手段と;前記基板を研磨中に、複数個のマイクロチャネル溝を前記パッドの上側表面中に形成する手段とを具え、これらマイクロチャネル溝によって、前記基板とパッドとの間に前記スラリーを導入することにより前記研磨処理を促進させることをことを特徴とする研磨装置。

IPC (3)：

B24B 37/04 , B24B 37/00 , H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (20)

特開平4-111772
特開平2-088178
特開平2-139171

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