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J-GLOBAL ID：200903088069141099

量子型フォトトランジスタ

Inventor： 金 勲
Applicant, Patent owner： 常緑コーリア株式会社
Agent (1)： 板谷 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001123442
Publication number (International publication number)：2002261318
Application date： Apr. 20, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 単純な構造、高集積、高感度及び低電力であり、単一キヤリアで光電流が流れるようにし、信号伝達の速度が早く、増幅率が高い量子型フォトトランジスタを提供する。【解決手段】 両電極50,51の間に、伝導電子または正孔の束縛エネルギーの差を与える量子構造で伝導領域53を形成し、その量子構造から発生する電子まは正孔の部分的な空乏領域に光または電磁波が照射される場合、その部分的に空乏領域に電子正孔対が発生し、空乏化が解除され電流が流れるようにする。量子構造はポイントコンタクト、量子細線及び量子ドットなど伝導領域の量子効果、すなわち、電子または正孔の1乃至は0次元電子の束縛エネルギーから発生する電位障壁を任意に形成したものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板の両方に形成され光電流を出力する二つの電極;前記半導体基板の前記二つの電極の間に備えられ、正孔及び電子が移動する伝導領域;及び前記伝導領域に瓶の首構造で形成され、前記電子及び正孔の流れを遮断する部分的な電位障壁をなし、光または電磁波が入射される場合、その電位障壁が解除され前記電子及び正孔が流れるようにする通過部で構成されることを特徴とする量子型フォトトランジスタ。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 29/06 601

FI (2)：

H01L 29/06 601 W ,  H01L 31/10 A

F-Term (9)：

5F049MA13 ,  5F049MA20 ,  5F049MB03 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049QA10 ,  5F049QA16 ,  5F049QA20