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J-GLOBAL ID：200903088070924765

ハードディスク及びハードディスクの製造方法

Inventor： 北寄崎 薫 ,  家田 正彦 ,  西野 民智夫
Applicant, Patent owner： 株式会社明電舎
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997198042
Publication number (International publication number)：1999045429
Application date： Jul. 24, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ハードディスクの保護膜に対するマイクロプラズマ粒子の影響を低減して、該保護膜表面の劣化を防止し、摺動特性を高めたハードディスク及び該ハードディスクの製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】 ハードディスク表面に半導体化した水素化アモルファスカーボンから成る保護膜を形成することを基本手段とする。保護膜は、室温における電気伝導度が5×10-9/Ωcm以上で且つ室温において光伝導性を有する水素化アモルファスカーボンであり、好ましくは電気伝導度を5×10-9/Ωcm〜5×10-6/Ωcmの範囲とする。保護膜の製法として、平行平板型rfプラズマCVD法でカソード電極12とアノード電極13の間の第3電極22にアース電位に対して負の直流バイアスを印加するトライオードプラズマCVD法により、カソード電極12上でアモルファスカーボン膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

表面に保護膜が形成されたハードディスクにおいて、前記保護膜が半導体化した水素化アモルファスカーボンから成ることを特徴とするハードディスク。

IPC (4)：

G11B 5/72 ,  C23C 16/26 ,  G11B 5/84 ,  C01B 31/02 101

FI (4)：

G11B 5/72 ,  C23C 16/26 ,  G11B 5/84 B ,  C01B 31/02 101 Z