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J-GLOBAL ID：200903088075339984

側壁チャネルストップとボディ連係を提供するボディ延長を有するSOI形CMOS装置

Inventor： チェルン,リチャード,ディー ,  クラーク,ジャック,イー,セカンド ,  デジョン,グレン,エー ,  リシュテル,リチャード,エル ,  モリス,ウェスリ,エイチ ,  スピース,ウィリアム,エイチ
Applicant, Patent owner： ハリス コーポレイション
Agent (1)： 伊東 忠彦 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1993507933
Publication number (International publication number)：2002516649
Application date： Oct. 21, 1992
Publication date： Jun. 04, 2002
Summary：

【要約】SOI/SOS薄膜MOS形メサ構造は、そのボディ/チャネル領域(14)がソース及びドレイン領域(16、18)まで延び、延はされたボディ領域(31、32)の選択された部分(例えば、終端部)の不純物濃度は増加させられ、これにより、ボディ/チャネル領域(14)を指定バイアス電圧(例えは、Vss)に接続させ得るボディ連係アクセス領域と、ボディ/チャネル領域(14)のP形材料の側壁面に沿って誘起され得る電流リークパス又は「寄生」N-チェネルを機能的に遮るのに効果的なチャネルストップ領域(41、42)を提供する。他の実施例において、P形ボディ/チエネル領域(14)の側壁(83、84)のイオン化放射により誘起された反転はソース領域(16)の対向する終端部に形成される非対称的な側壁チャネルストップ構造(71、72)により妨げられる。

Claim (excerpt)：

基板と; 該基板の第1の表面部に形成された第1の導電体形の第1の半導体領域と; 該第1の半導体領域との該第1の半導体領域に沿って第1の長さを有する第1の接合を形成するよう該基板の該第1の表面部に隣接する第2の表面部に形成された第2の導電体形の第2の半導体領域と; 該第1の半導体領域に沿って第2の長さを有する該第1の半導体領域と第2の接合を形成するようそれらの間にある隣接する該第1の表面部によって該第2の表面部と離れ、該基板の第3の表面部に形成された該第2の導電体形の第3の半導体領域とから構成され; 該第1の半導体領域は少なくとも一の延長領域として該第2及び第3の半導体領域の界面にまで延びる半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 617 K