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J-GLOBAL ID：200903088080551800

注入形電場発光デバイスとその製造方法

Inventor： 岸本 良雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997278410
Publication number (International publication number)：1999121176
Application date： Oct. 13, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 輝度バラツキが小さく、長寿命の素子をつくること。【解決手段】 蒸着装置内に、透明電極を形成したガラス基板と、蒸発源の4個の加熱ボートにTPD、Alq、アルミニウム金属、リチウム金属を入れ、まず、TPD、Alqを加熱して毎秒0.1nm程度で蒸着した。次いでリチウム金属を入れたボートを加熱し、不純物ガスを除き毎秒0.02nm程度になるように制御してAlqとLiとを同時蒸着し厚み約6nmのAlとLiのキノリノール複核金属錯体の超薄膜6を形成した。更に2wt%のリチウム含有金属合金薄膜を160nmの厚みで蒸着した。得たデバイスは、直流電圧5V印加で2.3mA/cm2の電流が流れ、117cd/m2の均一性の高い輝度が得られた。100cd/m2での寿命試験で輝度の半減時間は比較例に比べ、5倍に延びた。

Claim (excerpt)：

正孔注入用透明電極と電子注入用薄膜電極よりなる一対の電極間に、電子輸送性有機分子と正孔輸送性有機分子とを有する注入形電場発光デバイスであって、前記電子輸送性有機分子よりなる電子輸送層と前記電子注入用薄膜電極との間に、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を電子供与体とする非イオン性有機金属錯体よりなる厚み20nm以下の界面超薄膜が形成されてなることを特徴とする注入形電場発光デバイス。

IPC (3)：

H05B 33/22 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (4)：

H05B 33/22 A ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/14 B ,  H05B 33/26 Z