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J-GLOBAL ID：200903088081163774

高純度シリコン及び高純度チタンの製造法

Inventor： 刈田 陽一 ,  井上 俊二 ,  岩田 克一
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 名嶋 明郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998262720
Publication number (International publication number)：2000086225
Application date： Sep. 17, 1998
Publication date： Mar. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 純度の高いNaを必要とせず、また生成物の分離が容易な高純度シリコン及び高純度チタンの製造法を提供する。【解決手段】 βアルミナ質の隔壁2を備えた電解槽1内で、NaClと、NaClよりも低融点の金属塩またはNaClよりも低融点の金属塩を形成する複合金属塩との混合物を電気分解し、Naを陰極室に移動させる。陰極室にSiCl4 ガスを供給してNaとの反応によりSiを生成し、陰極6の周囲に析出させて回収する。このSiCl4 ガスは、βアルミナ質の隔壁8と粗Si製の陽極9とを備えた電解槽7内でNaClを含む溶融塩を電気分解し、陰極に移動したClとSiとを反応させて生成することができる。SiをTiの置き換えれば、高純度チタンの製造法となる。

Claim (excerpt)：

βアルミナ質の隔壁を備えた電解槽内で、NaClと、NaClよりも低融点の金属塩またはNaClよりも低融点の金属塩を形成する複合金属塩との混合物を電気分解し、陰極側に移動させたNaをSiCl4 ガスと反応させてSiを生成し、このSiを陰極に析出させて金属Siとして回収することを特徴とする高純度シリコンの製造法。

IPC (4)：

C01B 33/027 ,  C22B 34/12 103 ,  C25C 3/28 ,  C25C 3/34

FI (4)：

C01B 33/027 ,  C22B 34/12 103 ,  C25C 3/28 ,  C25C 3/34 Z

F-Term (29)：

4G072AA01 ,  4G072AA02 ,  4G072BB01 ,  4G072BB09 ,  4G072GG03 ,  4G072HH08 ,  4G072MM01 ,  4G072MM21 ,  4G072NN30 ,  4G072RR28 ,  4G072UU01 ,  4K001AA23 ,  4K001AA27 ,  4K001BA08 ,  4K001DA05 ,  4K001DA11 ,  4K001DA14 ,  4K001HA02 ,  4K001HA12 ,  4K001KA08 ,  4K058AA11 ,  4K058BA03 ,  4K058BA10 ,  4K058BA33 ,  4K058BB06 ,  4K058CB04 ,  4K058CB05 ,  4K058FA18 ,  4K058FA23