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J-GLOBAL ID：200903088089505216

サージ吸収素子

Inventor： 府瀬川 和宏 ,  村上 義男
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997055901
Publication number (International publication number)：1998256572
Application date： Mar. 11, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 動作電圧及びサージ耐量がそれぞれ高く、かつ高温環境下で動作し、素子の直径を5mm未満にしても高いサージ耐量特性を有する。【解決手段】 pn接合の逆方向特性を利用したツェナーダイオード型の炭化珪素半導体からなるサージ吸収素子10であって、pn接合した炭化珪素半導体11と、この半導体のp型層11a及びn型層11bにそれぞれ設けられた電極12,13とを有する。p型層11aに設けられた電極12がショットキー特性を有する、Au、W、Mo、TiN、TaN又はその合金からなる。

Claim (excerpt)：

pn接合した炭化珪素半導体(11)と、前記半導体(11)のp型層(11a)及びn型層(11b)にそれぞれ設けられた電極(12,13)とを有するサージ吸収素子。

IPC (4)：

H01L 29/866 ,  H01L 29/872 ,  H02H 9/04 ,  H01C 7/12

FI (4)：

H01L 29/90 D ,  H02H 9/04 A ,  H01C 7/12 ,  H01L 29/48 D