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J-GLOBAL ID：200903088100705710
レジストパターン形成用のマスク、レジストパターンの形成方法およびレンズの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994311002
Publication number (International publication number)：1996166666
Application date： Dec. 14, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：
【要約】【目的】 レジストを用いて、レンズ形状を任意に制御することが可能なマイクロレンズアレイの製造方法を提供すること。【構成】 マスク基板11上に、同心円状に設けられたマスクパターン15が設けられており、マスクパターン15の間の間隔が外側に向かうに従って大きい。そして、ピッチはマスクが用いられる露光装置の解像限界より小さい。このようなマスクを露光装置にセットして、レンズ形成用基板上に設けられたレジストを露光した後、現像した。その後、形成されたレジストパターンをドライエッチングによりレンズ形成用基板上に転写した。
Claim (excerpt)：
レジストパターン形成用のマスクにおいて、マスク基板上に、光透過領域となる空隙を隔てて同心円状または同心多角形状に設けられた遮光領域としての複数のマスクパターンを具え、前記同心円または同心多角形の中心点から放射線方向に沿って外側に向かうに従って隣接する2つのパターン間の前記空隙の幅が少なくとも段階的に大きくなっており、前記マスクパターンの、前記放射線方向に沿う方向のピッチが、マスクが用いられる露光装置の光学系の解像限界となる長さより小さいことを特徴とするレジストパターン形成用のマスク。
IPC (3)：
G03F 1/08
, G02B 3/00
, H01L 21/027
