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J-GLOBAL ID:200903088121687852
ダイナミックRAM
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992256650
Publication number (International publication number):1994203597
Application date: Sep. 25, 1992
Publication date: Jul. 22, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 テスト時間短縮のためのオンチップ並列テスト機能を有するDRAMにおいて、適用できるテストパターンを限定せずにその並列度を大きくする。【構成】 センスアンプSAと部分デコード回路WDを備えた複数のブロックMBij(i=0、1、...m、j=0、1、...n)で構成したメモリセルアレイと、これらのブロックからメモリセルデータを読出し/書込みするデータ線と、データ線と相補のリードライトバス間でデータの伝達を行うマルチプレクサMUX及びデータアンプDA0、DA1と、同一のブロック行に共通にメインワード線MWLi(i=0、1、...m)から信号を入力するXデコーダXDとを備え、リードライトバスを’H’のフローティング状態に充電した後、複数のブロックを時分割で活性化し、それらのブロックからリードライトバス上にデータを読出し、そのレベルが、’L’であるとエラー信号を出力するテスト手段を有する。
Claim (excerpt):
分割された複数のブロックからなり、各々のブロックにセンスアンプ列と部分デコード回路を備え、データ選択回路を介して前記センスアンプ列の中の任意のセンスアンプとデータ線との間でデータの受渡しを行い、データアンプを介して前記データ線と相補信号線構成としたリードライトバスとの間でデータの受渡しを行うダイナミックRAMにおいて、前記リードライトバスを高レベルのフローティング状態に充電した後、異なる複数の前記ブロックを時分割で活性化して、それらのブロックからデータを前記リードライトバス上に読み出し、リードライトバスのレベルを検査するテスト手段を有することを特徴とするダイナミックRAM。
Patent cited by the Patent: