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J-GLOBAL ID：200903088126292260

処理装置及び処理方法

Inventor： 佐久間 健
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000289499
Publication number (International publication number)：2002100571
Application date： Sep. 22, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 従来の光CVD装置に課せられていた構造上の制約をなくすことができる処理装置を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされて内部に処理すべき被処理体Wを収容する処理容器22と、前記処理容器とは別個に設けられて、励起光により処理ガスを励起させて前記処理容器へ供給する励起ガスを形成する励起ガス形成手段23とを備えて処理装置を形成する。このように、処理容器とは別体に励起ガスを形成する手段を設けることにより、不都合な制約をなくすことが可能となる。

Claim (excerpt)：

真空引き可能になされて内部に処理すべき被処理体を収容する処理容器と、前記処理容器とは別個に設けられて、励起光により処理ガスを励起させて前記処理容器へ供給する励起ガスを形成する励起ガス形成手段とを備えたことを特徴とする処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/302 B

F-Term (46)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030EA01 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030FA06 ,  4K030GA02 ,  4K030KA11 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F004AA15 ,  5F004BA19 ,  5F004BB03 ,  5F004BB05 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F045AA11 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD06 ,  5F045BB07 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EB05 ,  5F045EB06 ,  5F045EC03 ,  5F045EC05 ,  5F045EC10 ,  5F045EE08 ,  5F045EE14 ,  5F045EK11 ,  5F045EM10 ,  5F045GB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特公昭61-040034