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J-GLOBAL ID：200903088127284598
歪高電子移動度トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997088129
Publication number (International publication number)：1998284721
Application date： Apr. 07, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ミスフィットT転位を発生することなく、チャネル層の臨界膜厚を厚くし、2DEG濃度を高めることができる歪HEMTを提供する。【解決手段】 下から、少なくともバッファ層、チャネル層、キャリア供給層およびショットキ層を構成要素として具える順構造型の歪高電子移動度トランジスタにおいて、前記バッファ層とチャネル層との間に応力補償層を具え、前記バッファ層のコンダクションバンド端をECO2とし、前記応力補償層のコンダクションバンド端ECO1を、ECO1>ECO2となるように設定してある。
Claim (excerpt)：
下から、少なくともバッファ層、チャネル層、キャリア供給層およびショットキ層を構成要素として具える順構造型の歪高電子移動度トランジスタにおいて、前記バッファ層とチャネル層との間に応力補償層を具え、前記バッファ層のコンダクションバンド端をECO2とし、前記応力補償層のコンダクションバンド端ECO1を、ECO1>ECO2となるように設定してあることを特徴とする歪高電子移動度トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
