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J-GLOBAL ID：200903088128109609

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 小滝 正宏 ,  田牧 真人 ,  真部 勝英 ,  橋本 雅文
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992218595
Publication number (International publication number)：1993211347
Application date： Jul. 23, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 GaN系の化合物半導体の発光ダイオードの青色の発光領域における発光パターンを点発光から面発光に近づけてその発光強度を向上させること。【構成】高キャリア濃度n+ 層3に対する電極80と、高不純物濃度iH 層52に対する電極70とを有する。電極70、80は、厚さ100 Åの第1のNi層71、厚さ1000Åの第2のNi層72、82、厚さ1500ÅのAl層73、83、厚さ1000ÅのTi層74、84、厚さ2500Åの第3のNi層75、85とで構成。Ni層が2重構造であるのでNi層間に緩和層ができ、Niの剥離を防止できる。Ni層でGaNと接合させた結果、発光時のしきい値電圧を低下させると共に発光輝度が向上した。又、発光パターンを点発光から面発光に近づけることができ、全体の発光強度が向上した。

Claim (excerpt)：

n型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るn層と、p型不純物を添加したi型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、少なくとも前記i層に対する電極であって前記i層に接合する層をNiとしたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-108779