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J-GLOBAL ID：200903088150331285

薄膜電界効果トランジスタ及びその製造方法並びに高耐圧薄膜電界効果トランジスタ

Inventor： 中村 毅
Applicant, Patent owner： 富士ゼロツクス株式会社
Agent (1)： 阪本 清孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991229678
Publication number (International publication number)：1993048107
Application date： Aug. 16, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 イオン注入による結晶欠陥がない薄膜電界効果トランジスタ及びその製造方法並びに遷移領域のない信頼性の高い高耐圧電界効果トランジスタを提供する。【構成】 ゲ-ト電極6とソ-ス・ドレイン電極7a,7bは、略同一平面に設けられている。また、アモルファスシリコン層2には、イオン注入によりソ-ス及びドレイン領域3a,3bが形成されており、これら2つの領域3a,3bとゲ-ト絶縁層5との間には金属層4a,4bがそれぞれ形成されている。このため、アモルファスシリコン層2へのイオン注入によるソ-ス・ドレイン領域3a,3bの形成は、ゲ-ト絶縁層5の形成前に行われるような構造となっている。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に、ソ-ス・ドレイン領域となる高濃度の不純物注入領域を一部に有する非結晶質シリコン層と、ゲ-ト絶縁層と、ゲ-ト電極とを順次積層すると共に、前記非結晶質シリコン層とゲ-ト絶縁層との界面であってソ-ス・ドレイン領域に位置する部位には金属層を配し、該金属層にそれぞれ接合されるソ-ス・ドレイン電極を前記ゲ-ト電極と略同一平面上に設けたことを特徴とする薄膜電界効果トランジスタ。