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J-GLOBAL ID:200903088166183693

キャパシタ内蔵多層配線基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 矢野 正行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992297951
Publication number (International publication number):1994125180
Application date: Oct. 09, 1992
Publication date: May. 06, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】誘電率に依存することなく、電源ノイズの抑制及び高密度化を達成することのできるキャパシタ内蔵配線基板を提供する。【構成】有機高分子材料を絶縁膜とする配線層が、セラミック基板2上に多数積層されて多層配線層3を構成している多層配線基板において、多層配線層3とセラミック基板2との間に、高誘電率ガラス厚膜を誘電体層とするキャパシタを備え、しかもこの多層配線層3の少なくとも一つの配線層とこれに隣接する他の配線層またはセラミック基板2との間に、酸化物薄膜を誘電体層とするキャパシタを備えている。
Claim (excerpt):
有機高分子材料を絶縁膜とする配線層が、セラミック基板上に多数積層されて多層配線層を構成している多層配線基板において、多層配線層とセラミック基板との間に、高誘電率ガラス厚膜を誘電体層とするキャパシタが備えられていることを特徴とするキャパシタ内蔵多層配線基板。
IPC (4):
H05K 3/46 ,  H01L 21/90 ,  H01L 23/12 ,  H01L 27/04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平1-236698
  • 特開平4-152694
  • 特開昭51-129697

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