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J-GLOBAL ID：200903088168913036

高電圧デバイス構造およびその製造方法

Inventor： サットウィンダー マルヒ
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994295181
Publication number (International publication number)：1995254706
Application date： Nov. 29, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 シリコンを基盤にするパワーデバイスよりも優れた特性を有する高電圧パワーデバイスを得る。【構成】 本高電圧デバイス構造(10)はシリコンを基盤にするパワーデバイスと非シリコンを基盤にするパワーデバイスとのハイブリッドデバイスであって、シリコン基板のみを使用して形成されるデバイスと比較して低いRds(ON)を有し、シリコン基板領域(12)上に形成された制御回路(14)を含んでいる。高電圧回路(16)は非シリコン基板領域(18)中に形成される。接続回路(34)は制御回路(14)を高電圧回路(16)と接続し、シリコン基板のみまたは非シリコン基板のみから形成されるデバイスと比較して、進歩した制御回路特性および進歩した高電圧回路特性を有する高電圧デバイス構造(10)を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板のみを使用して形成されるデバイスと比較して低いドレインソース抵抗Rds(ON)を有する高電圧パワーデバイスであって、シリコン基板領域上に形成されて、前記高電圧パワーデバイスの動作を制御するための低電圧制御デバイスを含む制御回路、非シリコンの基板領域中に形成されて、シリコン基板を基盤にして等価的な構成に作製される高電圧回路のドレインソース抵抗Rds(ON)と比較してより低いドレインソース抵抗Rds(ON)を有し、前記高電圧パワーデバイスからの高電圧を供給するための高電圧ドリフト領域を含む高電圧回路、および前記制御回路を前記高電圧回路と接続して、シリコンを基盤にするパワーデバイスの制御回路動作特性を有し、純粋にシリコンを基盤にするパワーデバイスよりも高い良度指数を有する材料で作製されたパワーデバイスの高電圧回路動作特性を有する高電圧デバイス構造を形成する接続回路、を含む高電圧パワーデバイス。

FI (2)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 656 C