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J-GLOBAL ID：200903088170680634

プラズマCVD装置

Inventor： 平松 雅人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991327521
Publication number (International publication number)：1993166728
Application date： Dec. 11, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 大面積の基板であっても膜厚分布の良い(±10%以内)成膜を可能にするプラズマCVD装置を提供すること。【構成】 原料ガスが導入され薄膜形成に供される反応室と、この反応室内に設置され被処理基板20を載置する基板ホルダー30と、この基板ホルダー30と対向配置され該ホルダー側に複数のガス導入口41が設けられた電極板40とを具備し、電極板40のガス導入口41から基板20側に原料ガスを吹き付けると共に、電極板40と基板ホルダー30間で放電を生起し、被処理基板20上に薄膜を堆積する平行平板型のプラズマCVD装置において、電極板40のガス導入口周辺に絶縁物42を被着させたことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

原料ガスが導入され薄膜形成に供される反応室と、この反応室内に設置され被処理基板を載置する基板ホルダーと、この基板ホルダーと対向配置され該ホルダー側に複数のガス導入口が設けられた電極板とを具備し、前記電極板のガス導入口から前記反応室内に原料ガスを導入すると共に、前記電極板と基板ホルダー間で放電を生起し、前記被処理基板上に薄膜を堆積する平行平板型のプラズマCVD装置において、前記電極板の少なくとも前記ガス導入口周辺に絶縁物を被着させてなることを特徴するプラズマCVD装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-218577
  
• 特開昭58-163432
  
• 特開昭60-037120