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J-GLOBAL ID：200903088173785577
不揮発性半導体記憶装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996028925
Publication number (International publication number)：1997223752
Application date： Feb. 16, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：
【要約】【課題】不揮発性半導体記憶装置のONO層間絶縁膜の膜厚均一性、及び漏洩電流を劣化させることなく、同膜の形成温度の低温化、及び更なる薄膜化を行うことと同時に、書換え動作によるトンネル絶縁膜の信頼性の低下を抑制する。【解決手段】ONO層間絶縁膜105の一部である下層酸化膜、ないし上層酸化膜を、酸化性雰囲気のプラズマ処理により形成する。
Claim (excerpt)：
第1導電型を有する半導体基板上にトンネル絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極に少なくとも一部が積層する形で層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極と、半導体基板に互いに分離して設けられた第2導電型のソース,ドレイン領域を備えた電気的に書換え可能な不揮発性半導体記憶装置において、前記層間絶縁膜の少なくとも一部に、酸化性のプラズマ雰囲気中で形成された絶縁膜を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/318
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 21/318 C
, H01L 27/10 434
