半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002057510
Publication number (International publication number)：2003257946
Application date： Mar. 04, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】反応生成物の剥離による強誘電体材料の加工不良を無くし、正常な特性を有する半導体装置を得ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】上部電極8と、被エッチング膜を有する支持基板1とが対向する構成のドライエッチング装置を用いて、半導体装置を製造する。ドライエッチング装置のメンテナンス後に、まず、上部電極8の被エッチング膜との対向面上に密着層11を形成する。次いで、被エッチング膜(強誘電体材料2)をドライエッチングして、密着層11上にエッチングガスと強誘電体材料2との反応生成物9を形成する。

Claim (excerpt)：

上部電極と、被エッチング膜を有する支持基板とが対向する構成のドライエッチング装置を用いる半導体装置の製造方法であって、前記ドライエッチング装置のメンテナンス後に、前記上部電極の前記被エッチング膜との対向面上に密着層を形成する第1工程と、前記被エッチング膜をドライエッチングして、前記密着層上にエッチングガスと前記被エッチング膜との反応生成物を形成する第2工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (2)：

H01L 21/302 101 H , H01L 27/04 C

F-Term (7)：

5F004AA14 , 5F004BA04 , 5F004CA05 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-371034 Applicant：富士通株式会社
プラズマエッチング方法およびプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-233357 Applicant：三菱電機株式会社
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-128791 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page