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J-GLOBAL ID：200903088185207544

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 園田 純一 ,  堀尾 直史 ,  新井 康夫
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 丹羽 宏之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994152076
Publication number (International publication number)：1996018101
Application date： Jul. 04, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 基板上にInGaAlP系結晶層をエピタキシャル成長により形成した半導体装置において、赤色光や黄色光を発光するLEDを作製した場合でも発光効率が高く、また電気伝導率も高くすることができるようにする。【構成】 n形のGaAs結晶層1上にエピタキシャル成長の基板として、n形のGaAs結晶から組成勾配させてGaAsP結晶層とした組成勾配層5を形成する。そして、この基板上に、エピタキシャル成長によりn形のInGaAl層2、Alを含まないInGaP層(活性層)6、P形のInGaAlP結晶層4を順次形成する。

Claim (excerpt)：

基板上にエピタキシャル成長によるInGaAlP系結晶層を有した半導体装置において、前記基板を、GaAs系結晶あるいはGaP系結晶から組成勾配させてGaAsP系結晶とした組成勾配層で形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18