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J-GLOBAL ID：200903088188586058

小型化学反応装置の製造方法

Inventor： 小椋 直嗣 ,  河村 義裕 ,  五十嵐 哲
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Agent (1)： 花輪 義男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002088024
Publication number (International publication number)：2003284943
Application date： Mar. 27, 2002
Publication date： Oct. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 シリコン基板(第一基板)の一面に形成された微小な流路内に触媒層が形成された小型化学反応装置の製造に際し、フォトレジストを用いることなく、微小な流路内に触媒層を位置精度良く形成する。【解決手段】 まず、一面に流路22が他面に薄膜ヒータ27がそれぞれ形成された第一基板21の一面に、流入口25および流出口が形成された第二基板24を接合する。次に、流入口25から触媒層形成用溶液31を流路22内に供給する。次に、薄膜ヒータ27の発熱などによる熱処理を行い、触媒を焼成して、流路22の内壁面に触媒層を固定させる。この場合、形成すべき触媒層の流路22に対する位置精度を全く考慮する必要がない。

Claim (excerpt)：

小型の基板の一面に微小な反応炉を形成し、前記基板の一面に蓋板を接合し、前記反応炉内に触媒層形成用溶液を供給して、前記反応炉内に触媒層を形成することを特徴とする小型化学反応装置の製造方法。

IPC (4)：

B01J 19/00 ,  C01B 3/32 ,  B01J 19/24 ,  H01M 8/06

FI (4)：

B01J 19/00 K ,  C01B 3/32 A ,  B01J 19/24 A ,  H01M 8/06 A

F-Term (19)：

4G075AA24 ,  4G075AA42 ,  4G075BD14 ,  4G075CA02 ,  4G075CA54 ,  4G075EE07 ,  4G075EE12 ,  4G075FA12 ,  4G075FB02 ,  4G075FB06 ,  4G075FC07 ,  4G140EA02 ,  4G140EA06 ,  4G140EB23 ,  4G140EB34 ,  4G140EB41 ,  4G140EB48 ,  4G140EC01 ,  5H027BA01