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J-GLOBAL ID：200903088196352171

突起電極を有する半導体素子の実装方法

Inventor： 村越 孝一 ,  金沢 淳一 ,  金森 孝史
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991161694
Publication number (International publication number)：1993211149
Application date： Jul. 02, 1991
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 プラスチック系等の柔軟で、かつ弾性を有するボールをめっき液中に混ぜて懸濁浴を作り、それを電気めっき法により、めっき金属とボールを共析させて突起電極を形成し、その突起電極で基板との電気的接続を得る。【構成】 突起電極を有する半導体素子の実装方法において、半導体素子31の突起電極39を電気めっき浴中に混合した柔軟でかつ弾性を有するボール37と、めっき金属を3次元的に共析させて形成し、該形成された突起電極39をフェースダウンして基板の所定の電極パッドに位置合わせし、上方から加圧して前記突起電極を弾性変形させながら接着樹脂で固定して前記基板に電気的接続を行うようにしたものである。

Claim (excerpt)：

(a)半導体素子の突起電極を電気めっき浴中に混合した柔軟でかつ弾性を有するボールと、めっき金属を3次元的に共析させて形成し、(b)該形成された突起電極をフェースダウンして基板の所定の電極パッドに位置合わせし、(c)上方から加圧して前記突起電極を弾性変形させながら接着樹脂で固定して前記基板に電気的接続を行うことを特徴とする突起電極を有する半導体素子の実装方法。

IPC (2)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (2)：

H01L 21/92 F ,  H01L 21/92 C