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J-GLOBAL ID：200903088200280580
多結晶半導体薄膜の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991268469
Publication number (International publication number)：1993082442
Application date： Sep. 18, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、大粒径の結晶で形成した多結晶半導体薄膜に、エキシマレーザ光を照射してアニール処理することにより、多結晶半導体薄膜の結晶性を高性能化して、移動度,ON/OFF比等のトランジスタ特性の向上を図る。【構成】 第1の工程で、基板11の上面に形成した非晶質半導体層13を低温固相成長させることにより多結晶半導体層14を生成し、次いで第2の工程で、多結晶半導体層14の上層側を除去することで当該多結晶半導体層14を薄膜化して、多結晶半導体薄膜15を形成する。その後第3の工程で、多結晶半導体薄膜15にエキシマレーザ光30を照射してアニール処理する。
Claim (excerpt)：
基板の上面に形成した非晶質半導体層を低温固相成長させることにより多結晶半導体層を生成する第1の工程と、前記多結晶半導体層の上層側を除去することで、当該多結晶半導体層を薄膜化して多結晶半導体薄膜を形成する第2の工程と、前記多結晶半導体薄膜層にエキシマレーザ光を照射してアニール処理する第3の工程とによりなることを特徴とする多結晶半導体薄膜の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 21/336
, H01L 29/784
