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J-GLOBAL ID：200903088203680791

半導体イオンセンサ

Inventor： 飯高 幸男
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998363959
Publication number (International publication number)：2000187016
Application date： Dec. 22, 1998
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】オン抵抗が小さく高感度で且つ小型化が可能な半導体イオンセンサを提供する。【解決手段】p形シリコン基板1の主表面側に、互いに並列接続される複数の電界効果型トランジスタセル20が形成されている。各電界効果型トランジスタセル20は、MOSFETの構造を有し、p形シリコン基板1の主表面側にドレイン領域2とソース領域3とが離間して形成され、両領域2,3間のチャネル部4上にゲート絶縁膜5を介してゲート電極16が形成されている。各電界効果型トランジスタセル20のゲート電極16同士はゲート電極配線26により接続されている。ゲート電極配線26上に絶縁酸化膜19を介してイオン感応膜6が形成されている。

Claim (excerpt)：

互いに並列接続される複数の電界効果型トランジスタセルが形成された基板と、各電界効果型トランジスタセルのゲート電極同士を接続したゲート電極配線と、ゲート電極配線上に絶縁膜を介して形成されたイオン感応膜とを備えることを特徴とする半導体イオンセンサ。

FI (3)：

G01N 27/30 301 V ,  G01N 27/30 301 W ,  G01N 27/30 301 R