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J-GLOBAL ID:200903088209615509

スイッチ回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大場 充
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996071841
Publication number (International publication number):1997260901
Application date: Mar. 27, 1996
Publication date: Oct. 03, 1997
Summary:
【要約】【目的】 生産コストを増大させることなく、小型のスイッチ回路を提供すること。【構成】 第1の回路、第2の回路および第3の回路に接続され、第1の回路と第3の回路との接続、および第2の回路と第3の回路との接続を切り換えるためのスイッチ回路であって、第1の伝送線路および第2の伝送線路が、積層素体内の異なる層上に形成されるとともに、45度から90度の角度で交差するように配置され、第1のダイオードと第2のダイオードが、積層素体上に形成されたスイッチ回路。
Claim (excerpt):
第1の回路、第2の回路および第3の回路に接続され、前記第1の回路と前記第3の回路との接続、および前記第2の回路と前記第3の回路との接続を切り換えるためのスイッチ回路であって、前記第1の回路にアノードが接続され、前記第3の回路にカソードが接続される第1のダイオード、前記第1のダイオードのアノードに接続される第1の伝送線路、前記第3の回路と前記第2の回路との間に接続される第2の伝送線路、および前記第2の回路にアノードが接続され、アースにカソードが接続される第2のダイオードを含み、前記第1の伝送線路および前記第2の伝送線路は、積層素体に内蔵され、前記第1の伝送線路および前記第2の伝送線路が、前記積層素体内の異なる層上に形成されるとともに、45度から90度の角度で交差するように配置され、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードが、前記積層素体上に配置されたことを特徴とするスイッチ回路。
IPC (3):
H01P 1/15 ,  H01P 1/213 ,  H04B 1/44
FI (3):
H01P 1/15 ,  H01P 1/213 M ,  H04B 1/44
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (33)
  • 高周波スイッチ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-358137   Applicant:株式会社村田製作所
  • 特開平4-225612
  • 特開平4-225612
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