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J-GLOBAL ID：200903088212089427

ケイ化チタンのエッチングプロセス

Inventor： ルク ファン オートリーヴ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996251028
Publication number (International publication number)：1997148314
Application date： Sep. 02, 1996
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】絶縁材のエッチング速度を実質的に遅らせない、ケイ化物に高い選択性を示す絶縁層エッチングプロセスを提供する。【解決手段】約5ミリトールから約400ミリトールの圧力範囲内に保持されるエッチングチャンバ内で窒素含有ガスと1つ以上の他の弗素含有エッチングガスとの混合物の使用を含む、ケイ化物に対して高い選択性を有する、ケイ化物層の上にある二酸化シリコン等の絶縁層のためのプラズマエッチングプロセスが開示される。本発明のエッチングプロセスによって示される高い選択性は、5ミルトールから約30ミリトールという減圧でのエッチングプロセスの動作に、著しいオーバーエッチング機能で酸化物層の中の垂直側壁の完全なエッチングを成し遂げることを可能にする。

Claim (excerpt)：

半導体ワークピース上の集積回路構造体のケイ化物表面の上の絶縁層をエッチングするプラズマエッチングプロセスであって、前記ワークピースを包含する前記エッチングチャンバに、1つ以上の弗素含有エッチングガスと窒素含有ガスとの混合物を、エッチングチャンバに関連したプラズマを保持しつつ流入させるステップを備えるプラズマエッチングプロセス。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28

FI (3)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 E