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J-GLOBAL ID:200903088217701627

プラズマプロセス装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 桑井 清一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994049761
Publication number (International publication number):1995235397
Application date: Feb. 22, 1994
Publication date: Sep. 05, 1995
Summary:
【要約】【目的】電子が反応室内に反応ガスから高濃度でプラズマを発生させる。【構成】第1カソード12aとアノード13bとの間に、第2カソード12bが設けられ、互いに略逆位相の第1交流電流ph1と第2交流電流ph2が第1カソード12aと第2カソード12bにそれぞれ供給される。電磁石18は第1カソード12aと第2カソード12b間にこれらと略平行な磁界を発生させ、反応ガスは導入口11bから反応室11aに供給される。【効果】電子はローレンツ力を受けカソード12a、12b間をわずかにEXBドリフトしながら磁力線に沿ってドリフトする。その結果、電子は長時間反応ガスと衝突して高濃度のプラズマを発生させる。
Claim (excerpt):
反応室を画成する反応容器と、上記反応室内に反応ガスを供給し所定圧力に維持する反応ガス供給手段と、上記反応室内に処理対象を保持する保持手段と、反応室内に設けられ第1交流電流の供給される第1カソードと、上記処理対象と上記第1カソードとの間の上記反応室内に設けられ上記反応ガスから発生した中性成分が通過可能なアノードを備えたプラズマプロセス装置において、上記第1カソードと上記アノードとの間の反応室内に設けられ上記中性成分の通過可能な第2カソードと、上記第2カソードに上記第1交流電流に対して略逆位相の第2交流電流を供給する交流電源手段と、上記第1カソードおよび上記第2カソード間に該第1カソードおよび第2カソードと略平行な磁界を発生させる磁界発生手段を備え、上記アノードを上記第1カソードおよび第2カソードと同電位以上に維持された第1シールドとして機能させると共に上記第1カソードと上記第2カソードとの間にマグネトロンプラズマを発生させることを特徴とするプラズマプロセス装置。
IPC (2):
H05H 1/46 ,  H01L 21/3065

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