低級炭化水素の芳香族化合物化触媒ならびに低級炭化水素を原料とする芳香族化合物及び水素の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：横井幸喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000160616
Publication number (International publication number)：2001334152
Application date： May. 30, 2000
Publication date： Dec. 04, 2001
Summary：

【要約】【課題】天然ガス等の低級炭化水素を用いてベンゼン、ナフタレン等の芳香族化合物と水素ガスとを同時に製造するための芳香族化方法を提供する。【解決手段】レニウム、亜鉛、Ga、Co、鉄、クロム、タングステン、モリブデン、希土類金属またはそれらの化合物の1種以上を触媒材料として含み、該触媒材料を4.5〜6.5Å径の細孔を有する多孔質メタロシリケートに担持する。【効果】触媒能が大幅に向上し、低級炭化水素からベンゼン、トルエン、キシレン及びナフタレン等の芳香族炭化水素及び水素を特に効率的に製造することができる。

Claim (excerpt)：

レニウムまたはその化合物で構成される群から選択される一種以上と、亜鉛、Ga、Co、鉄またはそれらの化合物で構成される群から選択される1種以上と、クロム、タングステン、モリブデンまたはそれらの化合物で構成される群から選択される1種以上と、希土類金属またはその化合物で構成される群から選択される1種以上の少なくとも一つを触媒材料として含み、かつ該触媒材料を担持する担体として実質的に4.5〜6.5Å径の細孔を有する多孔質メタロシリケートを含むことを特徴とする低級炭化水素の芳香族化合物化触媒

IPC (9)：

B01J 29/04 , B01J 29/48 , C01B 3/40 , C07C 2/84 , C07C 15/04 , C07C 15/06 , C07C 15/24 , C07C 15/27 , C07B 61/00 300

FI (9)：

B01J 29/04 Z , B01J 29/48 Z , C01B 3/40 , C07C 2/84 , C07C 15/04 , C07C 15/06 , C07C 15/24 , C07C 15/27 , C07B 61/00 300

F-Term (58)：

4G040EA03 , 4G040EA05 , 4G040EC01 , 4G040EC02 , 4G069AA03 , 4G069AA08 , 4G069BA07B , 4G069BC17A , 4G069BC17B , 4G069BC35A , 4G069BC35B , 4G069BC38A , 4G069BC58A , 4G069BC59A , 4G069BC60A , 4G069BC64A , 4G069BC64B , 4G069BC66A , 4G069BC66B , 4G069BC67A , 4G069BC67B , 4G069CB66 , 4G069CB81 , 4G069CC21 , 4G069DA06 , 4G069EA01Y , 4G069EC04Y , 4G069EC11X , 4G069EC12X , 4G069EC12Y , 4G069FA02 , 4G069ZA11B , 4G069ZA12B , 4G069ZA36B , 4G069ZA37A , 4G069ZC04 , 4G069ZC07 , 4G069ZF05A , 4G069ZF05B , 4H006AA02 , 4H006AC28 , 4H006BA07 , 4H006BA08 , 4H006BA09 , 4H006BA14 , 4H006BA16 , 4H006BA19 , 4H006BA20 , 4H006BA30 , 4H006BA32 , 4H006BA55 , 4H006BA56 , 4H006BA71 , 4H006BC34 , 4H006DA12 , 4H006DA46 , 4H039CA41 , 4H039CH10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平1-038033
特開昭62-190131
低級炭化水素の芳香族化触媒及び該触媒を用いた芳香族化合物の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-084728 Applicant：大阪石油化学株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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