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J-GLOBAL ID：200903088241748790

不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法

Inventor： 横山 和巳 ,  下吉 秀人
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995035655
Publication number (International publication number)：1996236647
Application date： Feb. 23, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 メモリセルトランジスタの書き込み/消去の繰り返しの寿命を長くする。【構成】 シリコン基板11上に第1の酸化シリコン膜12を介してフローティングゲート13が配置される。フローティングゲート13を被って第2の酸化シリコン膜15及び第3の酸化シリコン膜16が形成される。フローティングゲート13上に第2の酸化シリコン酸化膜15及び第3のシリコン酸化膜16を介してコントロールゲート17が配置される。ここで、第2の酸化シリコン酸化膜15はCVD法によって形成され、第3の酸化シリコン膜16は熱酸化によって形成される。そして、第2の酸化シリコン膜15は、第2の酸化シリコン膜15及び第3の酸化シリコン膜16からなる絶縁膜全体の35〜45%の膜厚に形成される。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体基板上に電気的に独立して配置されるフローティングゲートと、このフローティングゲートを被う絶縁膜と、この絶縁膜を介して上記フローティングゲートの一端部上に重なるように配置されるコントロールゲートと、上記フローティングゲート及び上記コントロールゲートに隣接する上記半導体基板の表面に形成される逆導電型の半導体領域と、を備えた不揮発性半導体メモリ装置であって、上記絶縁膜は、化学気相反応で成膜された第1の酸化シリコン膜及び熱酸化で成膜された第2の酸化シリコン膜よりなる2層構造を成すことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (3)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-316480
  
• 特開昭60-148168
  
• 特開昭60-245253
  
• 特開平4-056283