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J-GLOBAL ID：200903088242588932

薄膜トランジスタ

Inventor： 石田 有親 ,  上村 孝明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992107787
Publication number (International publication number)：1993304171
Application date： Apr. 27, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】簡単な工程でばらつきの小さい優れた特性を得ることができるTFTを提供することを目的とする。【構成】ガラス基板11上に、Mo-Ta合金によるゲート電極12がパターン形成され、このゲート電極12が形成された基板上はゲート絶縁膜13で覆われ、この上にアンドープの微結晶シリコンからなる活性層14が形成されている。微結晶シリコン活性層14の膜厚は100nm以下とする。微結晶シリコン活性層14のソース,ドレイン領域にはn+ 型非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層15が形成され、この上にソース,ドレイン電極16が形成されている。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板と、この基板上に形成されたゲート電極と、このゲート電極が形成された基板上にゲート絶縁膜を介して形成された微結晶シリコンからなる活性層と、この活性層上に前記微結晶シリコンよりも低抵抗の非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層を介して形成されたソース,ドレイン電極と、を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 27/12