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J-GLOBAL ID：200903088246744459

磁気抵抗効果素子

Inventor： 上野 昌紀
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995067085
Publication number (International publication number)：1996235542
Application date： Feb. 28, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 トラック幅の制御が正確になるとともに、バルクハウゼン・ノイズの抑制効果がより安定し、かつ高い再生出力が安定的に得られるスピンバルブ型磁気抵抗効果素子の提供。【構成】 縦バイアス層11が第2強磁性金属層8と接しているので、縦バイアス磁界が第2強磁性金属層8に印加されその結果、単磁区化されることによりバルクハウゼン・ノイズを抑制でき、縦バイアス層11と第2強磁性金属8との接触はその積層両端面のみなので、素子の能動領域は縦バイアス層11,11によって挟まれた第2強磁性金属層8の長さに限定されて、トラック幅の正確な制御が可能となる。

Claim (excerpt)：

磁化固定層/第1強磁性金属層/非磁性金属層/第2強磁性金属層の4層構造からなる素子に縦バイアス磁界を発生させるための磁性膜からなる縦バイアス層を配置するスピンバルブ型磁気抵抗効果素子において、該素子の積層両端面側に縦バイアス層を配置しかつ第2強磁性金属層の積層両端面と接続させ、第1強磁性金属層と接触しないように形成されたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08

FI (3)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R