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J-GLOBAL ID：200903088247474790

化学的気相成長装置、化学的気相成長方法および化学的気相成長装置のクリーニング方法

Inventor： 矢元 久良 ,  山中 英雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999097218
Publication number (International publication number)：2000260721
Application date： Apr. 05, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 触媒CVD装置では、触媒体を発熱させるために大電力が必要となり、エネルギー消費が大きくなっていた。またプラズマCVD装置では、反応ガスのプラズマ化が不十分なため、高品質な成膜が困難となっていた。【解決手段】 第1の化学的気相成長装置1は、反応室11内に備えられた触媒体21に原料ガスを供給して生成した堆積種を反応室11内の被成膜基板51上に堆積して成膜を行うものであって、触媒体21は直流電源22に接続され、かつ触媒体21と直流電源22の正極とが接続している間に高周波電源25が接続されているものである。

Claim (excerpt)：

反応室内に備えられた触媒体に原料ガスを供給して生成した堆積種を前記反応室内の被成膜基板上に堆積して成膜を行う化学的気相成長装置において、前記触媒体は直流電源に接続され、前記触媒体と前記直流電源の正極とが接続している間に高周波電源が接続されていることを特徴とする化学的気相成長装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 M

F-Term (26)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030CA05 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030KA30 ,  4K030KA49 ,  5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045DA61 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EB06 ,  5F045EB08 ,  5F045EH18