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J-GLOBAL ID：200903088250334095

薄膜トランジスタ

Inventor： 広田 匡紀 ,  浜野 利久
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中村 智廣 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991356664
Publication number (International publication number)：1993206166
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 オンオフ比を向上させることができ、しかもゲート逆バイアス時のリーク電流を減少させることが可能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【構成】 ソース・ドレイン領域間に絶縁層を介在させてソース・ドレイン領域間を平坦に形成するとともに、この平坦化されたソース・ドレイン領域間の領域上に活性層を形成し、かつ上記ソース・ドレイン領域の上部に低濃度の不純物拡散領域を形成するように構成した。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板と、この絶縁性基板上に形成されたソース・ドレイン電極と、このソース・ドレイン電極上に積層されたソース・ドレイン領域と、このソース・ドレイン領域上に積層されるポリシリコンからなる活性層と、この活性層上に絶縁膜を介して形成されるゲート電極とを具備する薄膜トランジスタにおいて、上記ソース・ドレイン領域間に絶縁層を介在させてソース・ドレイン領域間を平坦に形成するとともに、この平坦化されたソース・ドレイン領域間の領域上に活性層を形成し、かつ上記ソース・ドレイン領域の上部に低濃度の不純物拡散領域を形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-083940
  
• 特開平1-165127
  
• 特開昭62-299082
  
• 特開昭62-216372