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J-GLOBAL ID：200903088257089584
GaN単結晶の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998088350
Publication number (International publication number)：1998330199
Application date： Apr. 01, 1998
Publication date： Dec. 15, 1998
Summary：
【要約】【課題】 良質なGaN単結晶膜を工業的に十分な成長速度で育成することのできるGaN単結晶の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 耐熱性の容器内にGaAs単結晶基板と砒素源とを配置し、かつ、当該容器内の空気を窒素を含む気体で置換した後、その容器を所定の加熱炉内に設置して、前記基板への砒素圧を適宜制御しながら、窒素を含む気体の雰囲気下で加熱処理を施すことにより、当該GaAs単結晶基板上にGaN単結晶を育成させるようにしたものであり、前記容器は、窒素ガスを外部から導入可能な配管を備え、前記砒素源から発せられる砒素の前記GaAs単結晶基板上への導入および拡散を、前記配管から前記容器に流入する窒素ガスを介して行なうようにする。
Claim (excerpt)：
耐熱性の容器内にGaAs単結晶基板と砒素源とを配置し、かつ、当該容器内の空気を窒素を含む気体で置換して密閉した後、その容器を所定の加熱炉内に設置して、前記基板への砒素圧を適宜制御しながら、窒素を含む気体の雰囲気下で加熱処理を施すことにより、当該GaAs単結晶基板上にGaN単結晶を育成させることを特徴とするGaN単結晶の製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/38
, C30B 29/42
, H01L 21/205
C30B 29/38 D
, C30B 29/42
, H01L 21/205
