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J-GLOBAL ID：200903088257809633

スパッタリング方法及び装置

Inventor： 宮嶋 俊彦 ,  尾高 政一 ,  飯田 善弘 ,  渡辺 英昭
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 竹下 和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992357124
Publication number (International publication number)：1994184742
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Jul. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低比抵抗率なインジウム-スズの酸化膜をガラス基板に低温で成膜し、パーティクルの発生を防いで安定したグロー放電を起すことにより信頼性の高い成膜を行う。【構成】 高周波電圧を水冷されたターゲット2に真空チャンバー1の内部で印加すると共にマグネトロン放電を適用することにより、プラズマによるガラス基板の上昇温度を80°C以下に抑えて比抵抗率3×10-4Ω・cm以下の酸化膜を成膜し、また、トレー搬送をゴム弾性層とゴムリングとの摺接摩擦で行って金属粉の発生を防ぎ、更に、スパッタ室を介して同等な排気量のガス排気系を真空チャンバーに装備することによりスパッタ室のガス圧を一定に保つ。

Claim (excerpt)：

インジウム-スズの金属酸化膜をガラス基板に成膜するのに適用されるスパッタリング方法であって、ガラス基板,ターゲットが収容される真空チャンバーの内部圧力を5×10-4pa以下に排気した後、アルゴンガスをターゲットの直上から導入させて該真空チャンバー内の成膜圧力を0.07〜0.2paに調整し、その真空チャンバーの内部で250〜350Gの磁場を水冷されたターゲットにマグネットから作用すると共に、高周波電圧をターゲット電極に印加させてグロー放電するようにしたことを特徴とするスパッタリング方法。

IPC (3)：

C23C 14/40 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-237423
  
• 特開平1-137520
  
• 特開平4-125222
  
• 特開平3-097862