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J-GLOBAL ID:200903088264955718
水素センサ
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大野 精市
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992008936
Publication number (International publication number):1993196569
Application date: Jan. 22, 1992
Publication date: Aug. 06, 1993
Summary:
【要約】【目的】 水素ガスを光学的に検知するセンサーであって、応答速度が高く、繰り返し使用による性能劣化が少ないセンサーを提供する。【構成】 基板の表面に、白金、ロジウムなど水素または含水素化合物ガスを吸着解離する触媒金属の薄膜層12を形成してセンサー検出子10とする。水素ガス流路中にこの検出子を配置し、光源1から光を検出子に投射して、透過光量を検出器3で測定するかまたは反射光量を測定する。【作用】 水素濃度が高まると透過光量が増加し、反射光量が減少する。【効果】 従来の光学式水素センサに比べて応答速度が1桁以上速い。
Claim (excerpt):
水素または含水素化合物ガスを吸着解離する触媒金属の層を基体上に形成してなる検出子と、該触媒金属層に光を入射させる光源と、この触媒金属層を透過する光量または(及び)触媒金属層表面から反射される光量を測定する受光量検出器とから成る水素センサ。
IPC (2):
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