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J-GLOBAL ID：200903088273198393

赤外線センサ及びその製造方法

Inventor： 川田 諭 ,  大工 博 ,  土肥 正二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 有我 軍一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995060186
Publication number (International publication number)：1996261832
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 素子の高速応答性及び高感度化を実現することができる他、薄膜部分の検知部の強度を上げて亀裂や割れを生じ難くすることができる。【構成】 読み出し回路5上に支持柱3が形成され、支持柱3の内側に形成されるとともに、読み出し回路5とコンタクトされる導電体柱4が形成され、支持柱3上で支持されるとともに、導電体柱4が露出された開口部24及び切り込み部7を有するブリッジ構造材膜2が形成され、切り込み部7により支持柱3とブリッジ構造材膜2を繋ぐ支持体膜9,10が形成され、開口部24の導電体柱4とコンタクトされる電極6が形成され、電極6間のブリッジ構造材膜2上にボロメータ材料膜1が形成され、ボロメータ材料膜1上に赤外線吸収膜25が形成され、読み出し回路5とブリッジ構造材膜2間に切り込み部7と連接する中空部8が形成されてなる。

Claim (excerpt)：

読み出し回路(5)上に支持柱(3)が形成され、該支持柱(3)の内側に形成されるとともに、該読み出し回路(5)とコンタクトされる導電体柱(4)が形成され、該支持柱(3)上で支持されるとともに、該導電体柱(4)が露出された開口部(24)及び切り込み部(7)を有するブリッジ構造材膜(2)が形成され、該切り込み部(7)により該支持柱(3)と該ブリッジ構造材膜(2)を繋ぐ支持体膜(9,10)が形成され、該開口部(24)内の該導電体柱(4)とコンタクトされる電極(6)が形成され、該電極(6)間の該ブリッジ構造材膜(2)上にボロメータ材料膜(1)が形成され、該ボロメータ材料膜(1)上に赤外線吸収膜(25)が形成され、該読み出し回路(5)と該ブリッジ構造材膜(2)間に該切り込み部(7)と連接する中空部(8)が形成されてなることを特徴とする赤外線センサ。

IPC (4)：

G01J 5/02 ,  H01L 27/14 ,  H01L 37/02 ,  H04N 5/33

FI (4)：

G01J 5/02 ,  H01L 37/02 ,  H04N 5/33 ,  H01L 27/14 K