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J-GLOBAL ID:200903088279943589
高減衰材料及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
上野 登
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997123387
Publication number (International publication number):1998298354
Application date: Apr. 25, 1997
Publication date: Nov. 10, 1998
Summary:
【要約】【課題】エネルギー吸収量が多くて吸音特性、制振特性、防振特性、衝撃吸収特性等に優れるとともに、経時変化による減衰性能の劣化を回避することのできる耐久性に優れた高減衰材料を提供すること。【解決手段】極性のある側鎖を有する塩素化ポリエチレン(CPE)等のポリマー材料に、誘電体物質としてN,N-ジシクロヘキシルベンゾチアジル-2-スルフェンアミドを100(又は150)Phrで混練配合し、この混練材料を非結晶組織とするため所定の型枠内で100〜250°Cで加熱し成形し、材料の表面にこの材料の結晶組織化を抑えるためシリコン材料による拘束層を設ける。
Claim (excerpt):
有機低分子系誘電体物質又は強誘電体物質を、極性のある側鎖を有するゴム材料又はエラストマー材料に分散させたことを特徴とする高減衰材料。
IPC (3):
C08L 21/00
, F16F 7/00
, F16F 15/08
FI (3):
C08L 21/00
, F16F 7/00 B
, F16F 15/08 B
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