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J-GLOBAL ID：200903088281349139

零電圧スイッチング電源装置

Inventor： 加賀谷 勇 ,  毛利 和章 ,  森 宏之 ,  岸 孝治
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立コンピュータエレクトロニクス
Agent (1)： 鈴木 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994122173
Publication number (International publication number)：1995337034
Application date： Jun. 03, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 共振用コンデンサ、リアクトルを設けることなく、MOSFETの出力容量と変圧器の漏れインダクタンスを利用して共振させ、零電圧スイッチングを行い、電源を小型化する。【構成】 スイッチ素子としてMOSFETを使用したハーフブリッジまたはフルブリッジコンバータにおいて、MOSFET4、5の出力容量6、7と、変圧器8のリーケージインダクタンス9を共振させる。制御回路14は、部分共振の間、MOSFET4、5をオフにし、零電圧でMOSFETをスイッチングし、MOSFETのオン・オフの時比率を一定に制御する。

Claim (excerpt)：

電源と、該電源間に直列に接続された第1、第2のMOSFETと、該電源間に直列に接続された第1、第2のコンデンサと、該第1のMOSFETと第2のMOSFETとの第1の接続点と、該第1のコンデンサと第2のコンデンサとの第2の接続点との間に接続された1次巻線と、センタータップが設けられた2次巻線とを有する変圧器と、該2次巻線の出力を整流する回路と、前記第1、第2のMOSFETのオン・オフの時比率を制御し、零電圧スイッチングを行う制御手段と、を備えたハーフブリッジ型の零電圧スイッチング電源装置において、前記第1、第2のMOSFETの何れか一方のMOSFETがオンからオフになったとき、前記第1、第2のMOSFETの出力容量と前記変圧器のリーケージインダクタンスとを共振させ、前記制御手段は共振させる時間幅において前記MOSFETをオフにし、他方のMOSFETのドレイン・ソース間電圧が零電圧になったとき該他方のMOSFETをターンオンさせ、前記各MOSFETのオン・オフの時比率を一定に制御することを特徴とする零電圧スイッチング電源装置。

IPC (3)：

H02M 7/5387 ,  H02M 1/08 331 ,  H02M 7/48