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J-GLOBAL ID：200903088284930444

炭素系ガス貯蔵材料の製造方法

Inventor： 山口 五和 ,  大島 久純
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000039789
Publication number (International publication number)：2001226108
Application date： Feb. 14, 2000
Publication date： Aug. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】 元素を添加した炭素系ガス貯蔵材料を作製する際の製造工程を簡易化した製造方法を提供する。【解決手段】 まず、材料準備工程において、カーボンナノチューブを含む炭素材料と炭酸リチウム粉末とを用意し、混合工程において、無水エタノールを加えて湿式混合する。次に、加熱処理工程において、混合した試料を乾燥させて粉末状にし、ルツボに入れて電気炉にセットする。電気炉内の雰囲気を大気雰囲気にし、温度を630°Cで1時間保持して試料の加熱処理を行い、炭素材料の精製と炭素材料へのリチウムの添加を行う。その後、試料を電気炉から取り出し、大気中で急冷することにより炭素系ガス貯蔵材料が完成する。

Claim (excerpt)：

炭素材料と、前記炭素材料に対して元素を添加するための添加物質とを用意する材料準備工程と、前記炭素材料と前記添加物質とを混合する混合工程と、前記混合された炭素材料と添加物質とを加熱処理することにより、前記炭素材料の酸化と前記炭素材料に対する前記添加物質中の元素の添加処理とを含む加熱処理工程とを有することを特徴とする炭素系ガス貯蔵材料の製造方法。

IPC (5)：

C01B 31/02 101 ,  C01B 31/02 ,  C01B 3/00 ,  D06M 10/00 ,  H01M 8/06

FI (5)：

C01B 31/02 101 Z ,  C01B 31/02 101 F ,  C01B 3/00 B ,  D06M 10/00 A ,  H01M 8/06 G

F-Term (12)：

4G040AA42 ,  4G040AA44 ,  4G046CB08 ,  4G046CC02 ,  4G046CC05 ,  4L031AA27 ,  4L031BA14 ,  4L031CA02 ,  4L031CA08 ,  4L031DA00 ,  5H027BA13 ,  5H027BA16